BFG425W-TOB Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BFG425W-TOB
Código: 3K
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.135 W
Tensión colector-base (Vcb): 9 V
Tensión colector-emisor (Vce): 4.5 V
Tensión emisor-base (Veb): 1 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 25000 typ MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 50
Encapsulados: SOT343R
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BFG425W-TOB datasheet
bfg425w.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFG425W NPN 25 GHz wideband transistor Product specification 2010 Sep 15 Supersedes data of 1998 Mar 11 NXP Semiconductors Product specification NPN 25 GHz wideband transistor BFG425W FEATURES PINNING Very high power gain PIN DESCRIPTION Low noise figure 1emitter High transition frequency 2base Emitter is thermal lead 3emitte
bfg425w.pdf
SMD Type Transistors NPN Transistors BFG425W (KFG425W) SOT-343R Unit mm 2.0 0.2 1.25 0.1 A X Features Collector Current Capability IC=30mA Collector Emitter Voltage VCEO=4.5V 0 0.1 2.1 0.1 1.30(Typ) Very high power gain 3 4 Low noise figure 0.23 (max) 0.13 (min) High transition frequency 2 1 0.45(max) 0.35 0.05 0.60 0.1 0.1(max) 0.15(max
Otros transistores... 850AT , 850BT , 850CT , 857AW , 857BW , 858AW , 858BW , BCP68-16 , 2SB817 , BFG520-X , BFG520-XR , CZT5551A , CZT5551C , CZT5551N , D882Q , MBT3946 , MJD122D .
History: BU323Z
History: BU323Z
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Liste
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