BFG425W-TOB datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFG425W-TOB  📄📄 

Маркировка: 3K

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.135 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 9 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4.5 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25000 typ MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT343R

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BFG425W-TOB

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFG425W-TOB даташит

 ..1. Size:872K  slkor
 bfg425w-tob.pdf pdf_icon

BFG425W-TOB

 7.1. Size:143K  philips
 bfg425w.pdf pdf_icon

BFG425W-TOB

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFG425W NPN 25 GHz wideband transistor Product specification 2010 Sep 15 Supersedes data of 1998 Mar 11 NXP Semiconductors Product specification NPN 25 GHz wideband transistor BFG425W FEATURES PINNING Very high power gain PIN DESCRIPTION Low noise figure 1emitter High transition frequency 2base Emitter is thermal lead 3emitte

 7.2. Size:90K  philips
 bfg425w 4.pdf pdf_icon

BFG425W-TOB

 7.3. Size:1657K  kexin
 bfg425w.pdf pdf_icon

BFG425W-TOB

SMD Type Transistors NPN Transistors BFG425W (KFG425W) SOT-343R Unit mm 2.0 0.2 1.25 0.1 A X Features Collector Current Capability IC=30mA Collector Emitter Voltage VCEO=4.5V 0 0.1 2.1 0.1 1.30(Typ) Very high power gain 3 4 Low noise figure 0.23 (max) 0.13 (min) High transition frequency 2 1 0.45(max) 0.35 0.05 0.60 0.1 0.1(max) 0.15(max

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 850AT, 850BT, 850CT, 857AW, 857BW, 858AW, 858BW, BCP68-16, 2SB817, BFG520-X, BFG520-XR, CZT5551A, CZT5551C, CZT5551N, D882Q, MBT3946, MJD122D