D882Q Todos los transistores

 

D882Q . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: D882Q
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: SOT89

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D882Q Datasheet (PDF)

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D882Q

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D882Q

D882 AO3400 SI2305 D882 NPN Silicon Power Transistor The transistor is subdivided into four groups, R, Q, P and E, according to its DC current gain. O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector to Base Voltage VCBO 40 V Collector to Emitter Voltage VCEO 30 V Emitter to Base Voltage VEBO 5 V Collector Current IC 3 A Peak Collector Current (t = 10

 0.1. Size:132K  lrc
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D882Q

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR L2SB882Q L2SB882P We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 4 1 2 3 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION SOT-89 Device Marking Shipping L2SB882Q 82Q 2500/Tape&Reel 2,4 L2SB882P 82P 2500/Tape&Reel COLLECTOR 1 MAXIMUM RATINGS(Ta=25 C) BASE Parameter Symbol Limits Unit 3 Collector-bas

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