D882Q - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: D882Q
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SOT89
D882Q Datasheet (PDF)
d882r d882q d882p d882e.pdf
D882 AO3400 SI2305 D882 NPN Silicon Power Transistor The transistor is subdivided into four groups, R, Q, P and E, according to its DC current gain. O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector to Base Voltage VCBO 40 V Collector to Emitter Voltage VCEO 30 V Emitter to Base Voltage VEBO 5 V Collector Current IC 3 A Peak Collector Current (t = 10
l2sd882q.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR L2SB882Q L2SB882P We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 4 1 2 3 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION SOT-89 Device Marking Shipping L2SB882Q 82Q 2500/Tape&Reel 2,4 L2SB882P 82P 2500/Tape&Reel COLLECTOR 1 MAXIMUM RATINGS(Ta=25 C) BASE Parameter Symbol Limits Unit 3 Collector-bas
Другие транзисторы... 858BW , BCP68-16 , BFG425W-TOB , BFG520-X , BFG520-XR , CZT5551A , CZT5551C , CZT5551N , 2N4401 , MBT3946 , MJD122D , MJD127D , MMBTA56G , MMBTA56H , PBSS304 , S8050TH , S8050TJ .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g




