D882Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D882Q  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для D882Q

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D882Q даташит

 ..1. Size:1427K  slkor
 d882r d882o d882q d882gr.pdf pdf_icon

D882Q

 ..2. Size:301K  cn twgmc
 d882r d882q d882p d882e.pdf pdf_icon

D882Q

D882 AO3400 SI2305 D882 NPN Silicon Power Transistor The transistor is subdivided into four groups, R, Q, P and E, according to its DC current gain. O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector to Base Voltage VCBO 40 V Collector to Emitter Voltage VCEO 30 V Emitter to Base Voltage VEBO 5 V Collector Current IC 3 A Peak Collector Current (t = 10

 0.1. Size:132K  lrc
 l2sd882q.pdf pdf_icon

D882Q

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR L2SB882Q L2SB882P We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 4 1 2 3 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION SOT-89 Device Marking Shipping L2SB882Q 82Q 2500/Tape&Reel 2,4 L2SB882P 82P 2500/Tape&Reel COLLECTOR 1 MAXIMUM RATINGS(Ta=25 C) BASE Parameter Symbol Limits Unit 3 Collector-bas

Другие транзисторы: 858BW, BCP68-16, BFG425W-TOB, BFG520-X, BFG520-XR, CZT5551A, CZT5551C, CZT5551N, 2N4401, MBT3946, MJD122D, MJD127D, MMBTA56G, MMBTA56H, PBSS304, S8050TH, S8050TJ