ISCN440P Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ISCN440P
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 110 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: TO220C
Búsqueda de reemplazo de ISCN440P
ISCN440P datasheet
iscn440p.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor ISCN440P DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min.) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage V = 1.1V(Max.)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SY
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History: ISCND436D | MJW0302AT4TL | BC807-16W-AU | 2SC643 | 2SC643A
History: ISCND436D | MJW0302AT4TL | BC807-16W-AU | 2SC643 | 2SC643A
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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