ISCN440P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ISCN440P

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO220C

 Аналоги (замена) для ISCN440P

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ISCN440P даташит

 ..1. Size:237K  inchange semiconductor
 iscn440p.pdf pdf_icon

ISCN440P

isc Silicon NPN Power Transistor ISCN440P DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min.) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage V = 1.1V(Max.)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SY

Другие транзисторы: NJW0281GT4TL, NJW0302GT4TL, NJW1302GT4TL, NJW3281GT4TL, TIP35CT4TL, TIP36CT4TL, CD568B, ISCE1938P, 2SA1837, ISCND436D, 2SC2222H, BC807-16W-AU, BC807-25W-AU, BC807-40W-AU, BC817-16-AU, BC817-25-AU, BC817-40-AU