Биполярный транзистор ISCN440P - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: ISCN440P
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO220C
ISCN440P Datasheet (PDF)
..1. Size:237K inchange semiconductor
iscn440p.pdf
iscn440p.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor ISCN440PDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min.)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage: V = 1.1V(Max.)@ I = 5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSY
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
