ISCND436D Todos los transistores

 

ISCND436D Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ISCND436D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 500 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 500
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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ISCND436D datasheet

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ISCND436D

isc Silicon NPN Power Transistor ISCND436D DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage V 500V(Min) CEO Low Collector Saturation Voltage V =1.3V(Max.)@ I = 2A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMB

Otros transistores... NJW0302GT4TL , NJW1302GT4TL , NJW3281GT4TL , TIP35CT4TL , TIP36CT4TL , CD568B , ISCE1938P , ISCN440P , BC546 , 2SC2222H , BC807-16W-AU , BC807-25W-AU , BC807-40W-AU , BC817-16-AU , BC817-25-AU , BC817-40-AU , BC848BW-AU .

History: BC807-16W-AU | 2SC643 | MJW0302AT4TL | 2SC643A

 

 

 


 
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