ISCND436D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ISCND436D
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 500 V
Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 500
Paquete / Cubierta: TO252
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ISCND436D Datasheet (PDF)
iscnd436d.pdf
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isc Silicon NPN Power Transistor ISCND436DDESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining VoltageV 500V(Min)CEO:Low Collector Saturation Voltage: V =1.3V(Max.)@ I = 2ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage and general purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB
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