ISCND436D Todos los transistores

 

ISCND436D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ISCND436D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 500 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 500
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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ISCND436D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:334K  inchange semiconductor
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ISCND436D

isc Silicon NPN Power Transistor ISCND436DDESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining VoltageV 500V(Min)CEO:Low Collector Saturation Voltage: V =1.3V(Max.)@ I = 2ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage and general purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB

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