ISCND436D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ISCND436D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 500

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для ISCND436D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ISCND436D даташит

 ..1. Size:334K  inchange semiconductor
 iscnd436d.pdf pdf_icon

ISCND436D

isc Silicon NPN Power Transistor ISCND436D DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage V 500V(Min) CEO Low Collector Saturation Voltage V =1.3V(Max.)@ I = 2A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMB

Другие транзисторы: NJW0302GT4TL, NJW1302GT4TL, NJW3281GT4TL, TIP35CT4TL, TIP36CT4TL, CD568B, ISCE1938P, ISCN440P, BC546, 2SC2222H, BC807-16W-AU, BC807-25W-AU, BC807-40W-AU, BC817-16-AU, BC817-25-AU, BC817-40-AU, BC848BW-AU