Справочник транзисторов. ISCND436D

 

Биполярный транзистор ISCND436D Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: ISCND436D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
   Корпус транзистора: TO252
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

ISCND436D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:334K  inchange semiconductor
 iscnd436d.pdf pdf_icon

ISCND436D

isc Silicon NPN Power Transistor ISCND436DDESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining VoltageV 500V(Min)CEO:Low Collector Saturation Voltage: V =1.3V(Max.)@ I = 2ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage and general purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 2SC2412-S | BTB1424FP | BUS12A | 2SD991 | 2SA1007 | KT885B

 

 
Back to Top

 


 
.