2SB772SQ-P Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SB772SQ-P
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100(typ) MHz
Capacitancia de salida (Cc): 55 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 160
Paquete / Cubierta: SOT89
Búsqueda de reemplazo de 2SB772SQ-P
2SB772SQ-P datasheet
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2SB772SQ Silicon PNP Power Transistor Features High current output up to 3A Low saturation voltage Complement to 2SD882SQ SOT-89 PIN1 Base PIN 2 Collector PIN 3 Emitter Applications These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching applications Absolute Maximum Ratings (Ta=25 unless otherwise specified) Parameter Symbo
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2SB772SQ Silicon PNP Power Transistor Features High current output up to 3A Low saturation voltage Complement to 2SD882SQ SOT-89 PIN1 Base PIN 2 Collector PIN 3 Emitter Applications These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching applications Absolute Maximum Ratings (Ta=25 unless otherwise specified) Parameter Symbol
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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