9012I . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 9012I
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 250
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 9012I
9012I Datasheet (PDF)
9012g 9012h 9012i.pdf
9012 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages. The transistor is subdivided into three groups, G, H and I, according to its DC current gain. As complementary type the NPN transistor 9013 is recommended. 1. Emitter 2. Base 3. Collector TO-92 Plastic Package OAbsol
s9012g s9012h s9012i.pdf
S9012-GMCCMicro Commercial ComponentsTMS9012-H20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311S9012-IPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.PNP Silicon Collector-current 0.5A Collector-base Voltage 40VTransistors Operating a
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