MRF0211LT1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MRF0211LT1
Código: 15
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.58 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 5500 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.7 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: SOT143
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar MRF0211LT1
MRF0211LT1 Datasheet (PDF)
mrf0211lt1.pdf
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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF0211LT1/DThe RF LineNPN SiliconMRF0211LT1High-Frequency Transistor. . . designed primarily for use in the highgain, lownoise smallsignalamplifiers for operation up to 3.5 GHz. Also usable in applications requiring fastswitching times. High CurrentGainBandwidth Product SURFACE MOUNTfT = 5.
mrf0211l.pdf
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