MRF0211LT1 Todos los transistores

 

MRF0211LT1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MRF0211LT1
   Código: 15
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.58 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5500 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: SOT143
 

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MRF0211LT1 Datasheet (PDF)

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MRF0211LT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF0211LT1/DThe RF LineNPN SiliconMRF0211LT1High-Frequency Transistor. . . designed primarily for use in the highgain, lownoise smallsignalamplifiers for operation up to 3.5 GHz. Also usable in applications requiring fastswitching times. High CurrentGainBandwidth Product SURFACE MOUNTfT = 5.

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MRF0211LT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF0211LT1/DThe RF LineNPN SiliconMRF0211LT1High-Frequency Transistor. . . designed primarily for use in the highgain, lownoise smallsignalamplifiers for operation up to 3.5 GHz. Also usable in applications requiring fastswitching times. High CurrentGainBandwidth Product SURFACE MOUNTfT = 5.

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History: 2SB702 | HSE139 | 2N327B | OC306-2 | 2N329

 

 
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