MRF0211LT1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MRF0211LT1

Маркировка: 15

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.58 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT143

 Аналоги (замена) для MRF0211LT1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF0211LT1 даташит

 ..1. Size:99K  motorola
 mrf0211lt1.pdf pdf_icon

MRF0211LT1

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF0211LT1/D The RF Line NPN Silicon MRF0211LT1 High-Frequency Transistor . . . designed primarily for use in the high gain, low noise small signal amplifiers for operation up to 3.5 GHz. Also usable in applications requiring fast switching times. High Current Gain Bandwidth Product SURFACE MOUNT fT = 5.

 6.1. Size:99K  motorola
 mrf0211l.pdf pdf_icon

MRF0211LT1

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF0211LT1/D The RF Line NPN Silicon MRF0211LT1 High-Frequency Transistor . . . designed primarily for use in the high gain, low noise small signal amplifiers for operation up to 3.5 GHz. Also usable in applications requiring fast switching times. High Current Gain Bandwidth Product SURFACE MOUNT fT = 5.

Другие транзисторы: MMBTSC945P, MMBTSC945R, MMBTSC945Y, ST2SD1664U-P, ST2SD1664U-Q, ST2SD1664U-R, MRF534, MRF536, S9013, MRF1000MA, MRF10070, MRF1029, MRF1030, MRF1031, MRF1032, MRF1035MA, MRF1035MB