MRF959T1 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MRF959T1

Código: V1

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 10 V

Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 9000 typ MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.63 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 75

Encapsulados: SC90

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MRF959T1 datasheet

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MRF959T1

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBR951ALT1/D The RF Line MMBR951 NPN Silicon MRF951 Low Noise, High-Frequency MRF957 Transistors MRF9511 Designed for use in high gain, low noise small signal amplifiers. This series SERIES features excellent broadband linearity and is offered in a variety of packages. Fully Implanted Base and Emitter Structure

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