MRF959T1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MRF959T1

Маркировка: V1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.63 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 75

Корпус транзистора: SC90

 Аналоги (замена) для MRF959T1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF959T1 даташит

 ..1. Size:171K  motorola
 mrf959t1.pdf pdf_icon

MRF959T1

 0.1. Size:171K  motorola
 mrf959t1rev0.pdf pdf_icon

MRF959T1

 9.1. Size:330K  motorola
 mmbr951 mrf951 mrf957 mrf9511.pdf pdf_icon

MRF959T1

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBR951ALT1/D The RF Line MMBR951 NPN Silicon MRF951 Low Noise, High-Frequency MRF957 Transistors MRF9511 Designed for use in high gain, low noise small signal amplifiers. This series SERIES features excellent broadband linearity and is offered in a variety of packages. Fully Implanted Base and Emitter Structure

Другие транзисторы: MRF892, MRF896, MRF898, MRF911, MRF917T1, MRF927T1, MRF927T3, MRF949T1, 2SD1047, NT407F, 2SA812-M4, 2SA812-M5, 2SA812-M6, 2SA812-M7, BC807-16Q, BC807-25Q, BC807-40Q