Справочник транзисторов. MRF959T1

 

Биполярный транзистор MRF959T1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF959T1
   Маркировка: V1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000(typ) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.63 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
   Корпус транзистора: SC90
 

 Аналог (замена) для MRF959T1

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF959T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:171K  motorola
 mrf959t1.pdf pdf_icon

MRF959T1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF959T1/DThe RF LineMRF959T1NPN SiliconLow Noise TransistorsMotorolas MRF959 is a high performance silicon NPN transistor designed foruse in high gain, low noise smallsignal amplifiers. The MRF959 is well suited ICmax = 100 mAfor low voltage applications. This device features a 9 GHz DC current LOW NOISEgain

 0.1. Size:171K  motorola
 mrf959t1rev0.pdf pdf_icon

MRF959T1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF959T1/DThe RF LineMRF959T1NPN SiliconLow Noise TransistorsMotorolas MRF959 is a high performance silicon NPN transistor designed foruse in high gain, low noise smallsignal amplifiers. The MRF959 is well suited ICmax = 100 mAfor low voltage applications. This device features a 9 GHz DC current LOW NOISEgain

 9.1. Size:330K  motorola
 mmbr951 mrf951 mrf957 mrf9511.pdf pdf_icon

MRF959T1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBR951ALT1/DThe RF LineMMBR951NPN SiliconMRF951Low Noise, High-FrequencyMRF957TransistorsMRF9511Designed for use in high gain, low noise smallsignal amplifiers. This seriesSERIESfeatures excellent broadband linearity and is offered in a variety of packages. Fully Implanted Base and Emitter Structure

Другие транзисторы... MRF892 , MRF896 , MRF898 , MRF911 , MRF917T1 , MRF927T1 , MRF927T3 , MRF949T1 , A733 , NT407F , 2SA812-M4 , 2SA812-M5 , 2SA812-M6 , 2SA812-M7 , BC807-16Q , BC807-25Q , BC807-40Q .

History: 2N3545 | 2SA1315 | 2N2643 | 2SB154 | 2N2552 | 2SA1673 | DR42R2-220

 

 
Back to Top

 


 
.