B772Q . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: B772Q
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 80(typ) MHz
Capacitancia de salida (Cc): 55(typ) pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: SOT89
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar B772Q
B772Q Datasheet (PDF)
b772r b772q b772p b772e.pdf
D882AO3400SI2305B772PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching applications OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 40 VCollector Emitter Voltage -VCEO 30 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 V -IC Collector Current 3 A-ICPPea
l2sb772q.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.PNPSURFACEMOUNTTRANSISTORL2SB772Q L2SB772PWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements.4 123DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONSOT-89Device Marking ShippingL2SB772Q 72Q 2500/Tape&Reel2,4L2SB772P 72P 2500/Tape&ReelCOLLECTOR1MAXIMUM RATINGS(Ta=25C)BASEParameter Symbol Limits Unit3Collector-bas
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050