B772Q Todos los transistores

 

B772Q . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: B772Q
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80(typ) MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 55(typ) pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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B772Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:751K  cn twgmc
 b772r b772q b772p b772e.pdf pdf_icon

B772Q

D882AO3400SI2305B772PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching applications OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 40 VCollector Emitter Voltage -VCEO 30 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 V -IC Collector Current 3 A-ICPPea

 0.1. Size:131K  lrc
 l2sb772q.pdf pdf_icon

B772Q

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.PNPSURFACEMOUNTTRANSISTORL2SB772Q L2SB772PWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements.4 123DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONSOT-89Device Marking ShippingL2SB772Q 72Q 2500/Tape&Reel2,4L2SB772P 72P 2500/Tape&ReelCOLLECTOR1MAXIMUM RATINGS(Ta=25C)BASEParameter Symbol Limits Unit3Collector-bas

Otros transistores... SS8550-Y2-J , SS8550-Y2-L , 29012H , 2SC4617Q , 2SC4617R , 2SC4617S , 3DD13003F6 , B772E , BC558 , D882E , MMBT3904N3 , MMBTH10A , MMBTH10B , MMBTH10C , PXT8050-D1 , PXT8050-D2 , PXT8550D1 .

History: 2SA682 | 2DD2098R

 

 
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