B772Q Todos los transistores

 

B772Q . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: B772Q
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80(typ) MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 55(typ) pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT89

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B772Q Datasheet (PDF)

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 b772r b772q b772p b772e.pdf pdf_icon

B772Q

D882 AO3400 SI2305 B772 PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching applications O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 40 V Collector Emitter Voltage -VCEO 30 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V -IC Collector Current 3 A -ICP Pea

 0.1. Size:131K  lrc
 l2sb772q.pdf pdf_icon

B772Q

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR L2SB772Q L2SB772P We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 4 1 2 3 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION SOT-89 Device Marking Shipping L2SB772Q 72Q 2500/Tape&Reel 2,4 L2SB772P 72P 2500/Tape&Reel COLLECTOR 1 MAXIMUM RATINGS(Ta=25 C) BASE Parameter Symbol Limits Unit 3 Collector-bas

Otros transistores... SS8550-Y2-J , SS8550-Y2-L , 29012H , 2SC4617Q , 2SC4617R , 2SC4617S , 3DD13003F6 , B772E , 2SD313 , D882E , MMBT3904N3 , MMBTH10A , MMBTH10B , MMBTH10C , PXT8050-D1 , PXT8050-D2 , PXT8550D1 .

History: BDP951 | NSBA115EDXV6 | KD138B | GT813V | BF760 | 2SD1868 | BFV71

 

 
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