B772Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: B772Q  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 55 typ pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для B772Q

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

B772Q даташит

 ..1. Size:751K  cn twgmc
 b772r b772q b772p b772e.pdf pdf_icon

B772Q

D882 AO3400 SI2305 B772 PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching applications O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 40 V Collector Emitter Voltage -VCEO 30 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V -IC Collector Current 3 A -ICP Pea

 0.1. Size:131K  lrc
 l2sb772q.pdf pdf_icon

B772Q

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR L2SB772Q L2SB772P We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 4 1 2 3 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION SOT-89 Device Marking Shipping L2SB772Q 72Q 2500/Tape&Reel 2,4 L2SB772P 72P 2500/Tape&Reel COLLECTOR 1 MAXIMUM RATINGS(Ta=25 C) BASE Parameter Symbol Limits Unit 3 Collector-bas

Другие транзисторы: SS8550-Y2-J, SS8550-Y2-L, 29012H, 2SC4617Q, 2SC4617R, 2SC4617S, 3DD13003F6, B772E, 2SD313, D882E, MMBT3904N3, MMBTH10A, MMBTH10B, MMBTH10C, PXT8050-D1, PXT8050-D2, PXT8550D1