SEBT8050-C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SEBT8050-C
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 120(typ) MHz
Capacitancia de salida (Cc): 13 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: SOT23 TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar SEBT8050-C
SEBT8050-C Datasheet (PDF)
sebt8050-c sebt8050-d.pdf
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SHANGHAI June 2006 MICROELECTRONICS CO., LTD. SEB T8050 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR Features Complementary to SEBT8050Applications HIGH CURRENT APPLICATION Construction Maximum Ratings (Ta=25) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITCollector-Base Voltage VCBO 35 V Collector-Emitter Voltage VCEO 30 V Emitter-Base Voltage VEBO 5 V Collector Current IC mA
sebt818ba.pdf
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SHANGHAI June 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. Revision:A SEBT818BA HIGH GAIN LOW VOLTAGE PNP POWER TRANSISTOR DESCRIPTION Features The device is manufactured in low voltage PNP VERY LOW COLLECTOR EMITTER Planar Technology by using a "Base Island" SATURATION VOLTAGE layout. DC CURRENT GAIN>100(hPE) The resulting Transistor shows exceptional high 3 A CONTINUOUS COLLECTOR
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