CD8050B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CD8050B 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 20 max pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 85
Encapsulados: TO92
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de CD8050B
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
CD8050B datasheet
cd8050b cd8050c cd8050d.pdf
Continental Device India Pvt. Limited An IATF 16949, ISO9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS CD8050 TO-92 Leaded Package RoHS compliant ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 OC) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 40 V Collector -Emitter Voltage VCEO 25 V Emitter Base Voltage VEBO 6 V Collector Current IC 2 A Collector Power Dissipat
Otros transistores... S9012J, S9018L, 2SC3080, 2SD661A, 2SD662B, D965-KEHE, GN1A3Q, SL13003, BC547, CD8050C, CD8050D, 3DD13005A, 3DD13005D, 3DD13005ED, 3DD13005MD, 3DD13007MD, 3DD13009E
History: S8050M | S8050TJ | 2SC3953
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mje350 | 2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent

