CD8050B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CD8050B  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 max pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CD8050B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CD8050B даташит

 ..1. Size:816K  1
 cd8050b cd8050c cd8050d.pdf pdf_icon

CD8050B

Continental Device India Pvt. Limited An IATF 16949, ISO9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS CD8050 TO-92 Leaded Package RoHS compliant ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 OC) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 40 V Collector -Emitter Voltage VCEO 25 V Emitter Base Voltage VEBO 6 V Collector Current IC 2 A Collector Power Dissipat

Другие транзисторы: S9012J, S9018L, 2SC3080, 2SD661A, 2SD662B, D965-KEHE, GN1A3Q, SL13003, BC547, CD8050C, CD8050D, 3DD13005A, 3DD13005D, 3DD13005ED, 3DD13005MD, 3DD13007MD, 3DD13009E