3DD5605Z Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DD5605Z  📄📄 

Código: D5605Z

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 1200 V

Tensión colector-emisor (Vce): 600 V

Tensión emisor-base (Veb): 9 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO220

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3DD5605Z datasheet

 ..1. Size:534K  jilin sino
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3DD5605Z

NPN HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R 3DD5605Z MAIN CHARACTERISTICS Package I 5A C V 600V CEO P 100W C APPLICATIONS Energy-saving light Electronic ballasts High frequency switching power supply Hig

 8.1. Size:209K  inchange semiconductor
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3DD5605Z

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD5606 DESCRIPTION High breakdown voltage High switching speed High current capability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Energy-saving ligh Electronic ballasts High frequency switching power supply High frequency power transform ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBO

 9.1. Size:151K  china
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3DD5605Z

3DD56/3DD57 NPN A B C D E F PCM TC=75 10 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 10 /W IC=0.2A V(BR)CBO ICB=3mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=3mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICBO VCB=20V 0.5 mA

Otros transistores... 3DD4618H, 3DD4802, 3DD4804, 3DD5017P, 3DD5023P, 3DD5032P, 3DD5036P, 3DD5038P, 2SA1837, 3DFH3504Z, BA15N23A, BA15N26A, BA15N26B, BA15P23A, BA15P26A, BA15P26B, BA16N25A