3DD5605Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD5605Z  📄📄 

Маркировка: D5605Z

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD5605Z

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD5605Z даташит

 ..1. Size:534K  jilin sino
 3dd5605z.pdf pdf_icon

3DD5605Z

NPN HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R 3DD5605Z MAIN CHARACTERISTICS Package I 5A C V 600V CEO P 100W C APPLICATIONS Energy-saving light Electronic ballasts High frequency switching power supply Hig

 8.1. Size:209K  inchange semiconductor
 3dd5606.pdf pdf_icon

3DD5605Z

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD5606 DESCRIPTION High breakdown voltage High switching speed High current capability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Energy-saving ligh Electronic ballasts High frequency switching power supply High frequency power transform ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBO

 9.1. Size:151K  china
 3dd56.pdf pdf_icon

3DD5605Z

3DD56/3DD57 NPN A B C D E F PCM TC=75 10 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 10 /W IC=0.2A V(BR)CBO ICB=3mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=3mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICBO VCB=20V 0.5 mA

Другие транзисторы: 3DD4618H, 3DD4802, 3DD4804, 3DD5017P, 3DD5023P, 3DD5032P, 3DD5036P, 3DD5038P, 2SA1837, 3DFH3504Z, BA15N23A, BA15N26A, BA15N26B, BA15P23A, BA15P26A, BA15P26B, BA16N25A