Справочник транзисторов. 3DD5605Z

 

Биполярный транзистор 3DD5605Z Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DD5605Z
   Маркировка: D5605Z
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для 3DD5605Z

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD5605Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:534K  jilin sino
 3dd5605z.pdf pdf_icon

3DD5605Z

NPN HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R 3DD5605Z MAIN CHARACTERISTICS Package I 5A CV 600V CEOP 100W C APPLICATIONS Energy-saving light Electronic ballasts High frequency switching power supply Hig

 8.1. Size:209K  inchange semiconductor
 3dd5606.pdf pdf_icon

3DD5605Z

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD5606DESCRIPTIONHigh breakdown voltageHigh switching speedHigh current capabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSEnergy-saving lighElectronic ballastsHigh frequency switching power supplyHigh frequency power transformABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBO

 9.1. Size:151K  china
 3dd56.pdf pdf_icon

3DD5605Z

3DD56/3DD57 NPN A B C D E F PCM TC=75 10 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 10 /W IC=0.2A V(BR)CBO ICB=3mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=3mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICBO VCB=20V 0.5 mA

Другие транзисторы... 3DD4618H , 3DD4802 , 3DD4804 , 3DD5017P , 3DD5023P , 3DD5032P , 3DD5036P , 3DD5038P , BC546 , 3DFH3504Z , BA15N23A , BA15N26A , BA15N26B , BA15P23A , BA15P26A , BA15P26B , BA16N25A .

History: CHIMB9GP | PEMB20

 

 
Back to Top

 


 
.