BA16N25A Todos los transistores

 

BA16N25A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BA16N25A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W
   Tensión colector-base (Vcb): 400 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 16 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 500(max) pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO-3PLT
 

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BA16N25A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1078K  jilin sino
 ba16n25a ba16p25a.pdf pdf_icon

BA16N25A

Complementary NPN-PNP Power Bipolar Transistor R BA16N25A(NPN) BA16P25A(PNP) APPLICATIONS High fidelity audio amplifier and other linear applications FEATURES V =250V (min) High collector voltageV =250V (min) CEO CEONPN-PNP Complementary NPN

 9.1. Size:169K  ixys
 ixba16n170ahv.pdf pdf_icon

BA16N25A

Advance Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 1700VIXBA16N170AHVBIMOSFETTM MonolithicIXBT16N170AHVIC25 = 16ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 6.0VTO-263HV (IXBA)GEC (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 1700 VTO-268HV (IXBT)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VVGES Continuous 20 VVGEM

Otros transistores... 3DD5605Z , 3DFH3504Z , BA15N23A , BA15N26A , BA15N26B , BA15P23A , BA15P26A , BA15P26B , BC558 , BA16P25A , BL10N15A , BL10P15A , BL15N15A , BL15P15A , BM03N05 , BM03P05 , BM05N06B .

 

 
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