BA16N25A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BA16N25A  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W

Tensión colector-base (Vcb): 400 V

Tensión colector-emisor (Vce): 250 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 16 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 500 max pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO-3PLT

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BA16N25A datasheet

 ..1. Size:1078K  jilin sino
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BA16N25A

Complementary NPN-PNP Power Bipolar Transistor R BA16N25A(NPN) BA16P25A(PNP) APPLICATIONS High fidelity audio amplifier and other linear applications FEATURES V =250V (min) High collector voltage V =250V (min) CEO CEO NPN-PNP Complementary NPN

 9.1. Size:169K  ixys
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BA16N25A

Advance Technical Information High Voltage, High Gain VCES = 1700V IXBA16N170AHV BIMOSFETTM Monolithic IXBT16N170AHV IC25 = 16A Bipolar MOS Transistor VCE(sat) 6.0V TO-263HV (IXBA) G E C (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 1700 V TO-268HV (IXBT) VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V VGES Continuous 20 V VGEM

Otros transistores... 3DD5605Z, 3DFH3504Z, BA15N23A, BA15N26A, BA15N26B, BA15P23A, BA15P26A, BA15P26B, 2SD313, BA16P25A, BL10N15A, BL10P15A, BL15N15A, BL15P15A, BM03N05, BM03P05, BM05N06B