Справочник транзисторов. BA16N25A

 

Биполярный транзистор BA16N25A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BA16N25A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 500(max) pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO-3PLT
 

 Аналог (замена) для BA16N25A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BA16N25A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1078K  jilin sino
 ba16n25a ba16p25a.pdf pdf_icon

BA16N25A

Complementary NPN-PNP Power Bipolar Transistor R BA16N25A(NPN) BA16P25A(PNP) APPLICATIONS High fidelity audio amplifier and other linear applications FEATURES V =250V (min) High collector voltageV =250V (min) CEO CEONPN-PNP Complementary NPN

 9.1. Size:169K  ixys
 ixba16n170ahv.pdf pdf_icon

BA16N25A

Advance Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 1700VIXBA16N170AHVBIMOSFETTM MonolithicIXBT16N170AHVIC25 = 16ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 6.0VTO-263HV (IXBA)GEC (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 1700 VTO-268HV (IXBT)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VVGES Continuous 20 VVGEM

Другие транзисторы... 3DD5605Z , 3DFH3504Z , BA15N23A , BA15N26A , BA15N26B , BA15P23A , BA15P26A , BA15P26B , BC558 , BA16P25A , BL10N15A , BL10P15A , BL15N15A , BL15P15A , BM03N05 , BM03P05 , BM05N06B .

 

 
Back to Top

 


 
.