BA16N25A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BA16N25A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 500 max pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO-3PLT

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BA16N25A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BA16N25A даташит

 ..1. Size:1078K  jilin sino
 ba16n25a ba16p25a.pdf pdf_icon

BA16N25A

Complementary NPN-PNP Power Bipolar Transistor R BA16N25A(NPN) BA16P25A(PNP) APPLICATIONS High fidelity audio amplifier and other linear applications FEATURES V =250V (min) High collector voltage V =250V (min) CEO CEO NPN-PNP Complementary NPN

 9.1. Size:169K  ixys
 ixba16n170ahv.pdf pdf_icon

BA16N25A

Advance Technical Information High Voltage, High Gain VCES = 1700V IXBA16N170AHV BIMOSFETTM Monolithic IXBT16N170AHV IC25 = 16A Bipolar MOS Transistor VCE(sat) 6.0V TO-263HV (IXBA) G E C (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 1700 V TO-268HV (IXBT) VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V VGES Continuous 20 V VGEM

Другие транзисторы: 3DD5605Z, 3DFH3504Z, BA15N23A, BA15N26A, BA15N26B, BA15P23A, BA15P26A, BA15P26B, 2SD313, BA16P25A, BL10N15A, BL10P15A, BL15N15A, BL15P15A, BM03N05, BM03P05, BM05N06B