Биполярный транзистор BA16N25A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BA16N25A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 500(max) pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO-3PLT
BA16N25A Datasheet (PDF)
ba16n25a ba16p25a.pdf
Complementary NPN-PNP Power Bipolar Transistor R BA16N25A(NPN) BA16P25A(PNP) APPLICATIONS High fidelity audio amplifier and other linear applications FEATURES V =250V (min) High collector voltageV =250V (min) CEO CEONPN-PNP Complementary NPN
ixba16n170ahv.pdf
Advance Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 1700VIXBA16N170AHVBIMOSFETTM MonolithicIXBT16N170AHVIC25 = 16ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 6.0VTO-263HV (IXBA)GEC (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 1700 VTO-268HV (IXBT)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VVGES Continuous 20 VVGEM
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050