GA1A4M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GA1A4M
Código: L33
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 35
Paquete / Cubierta: SC70
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GA1A4M Datasheet (PDF)
Otros transistores... 2SC945-H , 2SC945-L , 2SD882-E , 2SD882-P , 2SD882-Q , 2SA200-O , 2SA200-Y , SBT42 , C1815 , , , , , , , , .
History: BU508A | PXT8050-D1 | 2N3050 | HBCA114ES6R | S130-191 | 2N2314 | DTC124EM3T5G
History: BU508A | PXT8050-D1 | 2N3050 | HBCA114ES6R | S130-191 | 2N2314 | DTC124EM3T5G



Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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