Справочник транзисторов. GA1A4M

 

Биполярный транзистор GA1A4M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: GA1A4M
   Маркировка: L33
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
   Корпус транзистора: SC70
 

 Аналог (замена) для GA1A4M

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GA1A4M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  nec
ga1a4m.pdfpdf_icon

GA1A4M

Другие транзисторы... 2SC945-H , 2SC945-L , 2SD882-E , 2SD882-P , 2SD882-Q , 2SA200-O , 2SA200-Y , SBT42 , C1815 , , , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.