2SA1302O Todos los transistores

 

2SA1302O Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SA1302O

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W

Tensión colector-base (Vcb): 200 V

Tensión colector-emisor (Vce): 200 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 30 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 470 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: TO3PL

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2SA1302O datasheet

 7.1. Size:114K  mospec
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2SA1302O

A A A

 7.2. Size:219K  jmnic
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2SA1302O

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1302 DESCRIPTION With TO-3PL package Complement to type 2SC3281 APPLICATIONS Power amplifier applications Recommended for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PL) and symbol

 7.3. Size:128K  inchange semiconductor
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2SA1302O

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1302 DESCRIPTION High Current Capability High Power Dissipation High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= -200V(Min) Complement to Type 2SC3281 APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage applica

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History: 2SA1301O | 2SA1301

 

 

 


 
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