Биполярный транзистор 2SA1302O - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA1302O
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 470 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: TO3PL
2SA1302O Datasheet (PDF)
2sa1302.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1302 DESCRIPTION With TO-3PL package Complement to type 2SC3281 APPLICATIONS Power amplifier applications Recommended for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PL) and symbol
2sa1302.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1302 DESCRIPTION High Current Capability High Power Dissipation High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -200V(Min) Complement to Type 2SC3281 APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage applica
Другие транзисторы... 2SA1300 , 2SA1300BL , 2SA1300G , 2SA1300Y , 2SA1301 , 2SA1301O , 2SA1301R , 2SA1302 , BC546 , 2SA1302R , 2SA1303 , 2SA1303O , 2SA1303P , 2SA1303Y , 2SA1304 , 2SA1305 , 2SA1306 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050