2SA1358O Todos los transistores

 

2SA1358O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA1358O
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO126
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SA1358O Datasheet (PDF)

 7.1. Size:178K  toshiba
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2SA1358O

 7.2. Size:222K  inchange semiconductor
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2SA1358O

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1358-ZDESCRIPTIONWith TO-252(DPAK) packagingExcellent linearity of hFELow collector-to-emitter saturation voltageFast switching speedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio frequency power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB

 7.3. Size:196K  inchange semiconductor
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2SA1358O

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1358DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage: V = -120V(Min)(BR)CEOComplement to Type 2SC3421Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio frequency power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collecto

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History: MMSTA28 | 2SD1079 | F4 | UMT3904 | GT329G | 2SD2439 | BDW84D

 

 
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