2SA1358O - описание и поиск аналогов

 

2SA1358O. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SA1358O

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для 2SA1358O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1358O даташит

 7.1. Size:178K  toshiba
 2sa1358.pdf pdf_icon

2SA1358O

 7.2. Size:222K  inchange semiconductor
 2sa1358-z.pdf pdf_icon

2SA1358O

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1358-Z DESCRIPTION With TO-252(DPAK) packaging Excellent linearity of h FE Low collector-to-emitter saturation voltage Fast switching speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMB

 7.3. Size:196K  inchange semiconductor
 2sa1358.pdf pdf_icon

2SA1358O

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1358 DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage V = -120V(Min) (BR)CEO Complement to Type 2SC3421 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collecto

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SA1355, 2SA1356, 2SA1356O, 2SA1356Y, 2SA1357, 2SA1357O, 2SA1357Y, 2SA1358, 2SD669, 2SA1358Y, 2SA1359, 2SA1359O, 2SA1359Y, 2SA136, 2SA1360, 2SA1360O, 2SA1360Y

 

 

 

 

↑ Back to Top
.