2SA162 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA162 📄📄
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.05 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.015 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 65 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 125 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 25
Encapsulados: TO18
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2SA162 datasheet
2sa1620.pdf
2SA1620 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1620 Audio Frequency Amplifier Applications Unit mm Complementary to 2SC4209 Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -80 V Collector-emitter voltage VCEO -80 V Emitter-base voltage VEBO -5 V Collector current IC -300 mA Base current IB -60
2sa1621.pdf
2SA1621 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1621 Audio Power Amplifier Applications Unit mm High hFE h = 100 320 FE Complementary to 2SC4210 Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -35 V Collector-emitter voltage VCEO -30 V Emitter-base voltage VEBO -5 V Collector current IC -
Otros transistores... 2SA1612, 2SA1613, 2SA1614, 2SA1615, 2SA1616, 2SA1617, 2SA1618, 2SA1619, 2SA1015, 2SA1620, 2SA1621, 2SA1622, 2SA1623, 2SA1624, 2SA1625, 2SA1626, 2SA1627
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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