2SA475 Todos los transistores

 

2SA475 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA475
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.12 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 12 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO1
 

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2SA475 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:69K  wingshing
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2SA475

2SA473 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORLOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER TO-220 Complement to 2SC1173ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)ACharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -30 V Collector-Emitter Voltage VCEO -30 V Emitter-Base voltage VEBO -5 V Collector Current (DC) IC -3 A Collector Dissipation (Tc=25 PC 10 W Jun

 9.2. Size:221K  inchange semiconductor
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2SA475

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA473DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = -30V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC1173Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applications.Car radio and car stereo output stage applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

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History: BDT30BF | MMBT3906LP | ACY33-6 | MPSA94A | 2SC2330Y | D43D5 | FT0019H

 

 
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