2SA475. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SA475

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO1

 Аналоги (замена) для 2SA475

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA475 даташит

 9.1. Size:69K  wingshing
 2sa473.pdf pdf_icon

2SA475

2SA473 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER TO-220 Complement to 2SC1173 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -30 V Collector-Emitter Voltage VCEO -30 V Emitter-Base voltage VEBO -5 V Collector Current (DC) IC -3 A Collector Dissipation (Tc=25 PC 10 W Jun

 9.2. Size:221K  inchange semiconductor
 2sa473.pdf pdf_icon

2SA475

Другие транзисторы: 2SA471, 2SA472, 2SA473, 2SA473G, 2SA473O, 2SA473R, 2SA473Y, 2SA474, BC337, 2SA476, 2SA477, 2SA478, 2SA479, 2SA48, 2SA480, 2SA482, 2SA483