2SA496 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SA496

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.55 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 40 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO126

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2SA496 datasheet

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isc Silicon PNP Power Transistor 2SA496 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -30V (Min.) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = -0.8V (Max.)@ I = -500mA CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for medium power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SY

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