2SA496 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 2SA496 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2SA496
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.55 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO126

Аналоги (замена) для 2SA496

- подбор биполярного транзистора по параметрам

2SA496 Datasheet (PDF)

..1. Size:94K toshiba
2sa496 2sa505.pdf pdf_icon

2SA496 2SA496

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

..2. Size:217K inchange semiconductor
2sa496.pdf pdf_icon

2SA496 2SA496

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA496DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-V = -30V (Min.)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-V = -0.8V (Max.)@ I = -500mACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for medium power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSY

9.1. Size:87K toshiba
2sa490.pdf pdf_icon

2SA496 2SA496