2SA642 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SA642

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 75 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 30 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 65

Encapsulados: TO92

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2SA642 datasheet

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2SA642

Transistors 2SA642

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2SA642

Transistors 2SA643

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2SA642

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA648 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -120V(Min.) (BR)CEO Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltag

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