2SA642 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA642

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 65

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2SA642

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA642 даташит

 ..1. Size:82K  usha
 2sa642.pdf pdf_icon

2SA642

Transistors 2SA642

 9.1. Size:39K  no
 2sa641.pdf pdf_icon

2SA642

 9.2. Size:82K  usha
 2sa643.pdf pdf_icon

2SA642

Transistors 2SA643

 9.3. Size:189K  inchange semiconductor
 2sa648.pdf pdf_icon

2SA642

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA648 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -120V(Min.) (BR)CEO Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltag

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SA637, 2SA638, 2SA638S, 2SA639, 2SA639S, 2SA64, 2SA640, 2SA641, 2SB817, 2SA643, 2SA645, 2SA646, 2SA647, 2SA648, 2SA649, 2SA65, 2SA650