2SA649 Todos los transistores

 

2SA649 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA649
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
   Tensión colector-base (Vcb): 150 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO3
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SA649 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:189K  inchange semiconductor
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2SA649

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA649DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -150V(Min.)(BR)CEOWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltag

 9.1. Size:39K  no
 2sa641.pdf pdf_icon

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 9.2. Size:82K  usha
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Transistors2SA642

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2SA649

Transistors2SA643

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History: 2SD1879 | MD6003F

 

 
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