2SA649 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SA649

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W

Tensión colector-base (Vcb): 150 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO3

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2SA649 datasheet

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isc Silicon PNP Power Transistor 2SA649 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -150V(Min.) (BR)CEO Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltag

9.1. Size:39K no
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