2SA649 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SA649 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA649

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO3

Аналоги (замена) для 2SA649

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SA649 даташит

..1. Size:189K inchange semiconductor
2sa649.pdf pdf_icon

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA649 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -150V(Min.) (BR)CEO Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltag

9.1. Size:39K no
2sa641.pdf pdf_icon