2SA70 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SA70 📄📄

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 1 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 40 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 150

Encapsulados: TO7

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2SA70 datasheet

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Transistors 2SA709

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Transistors 2SA708

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isc Silicon PNP Power Transistor 2SA700 DESCRIPTION High Collector Current -I = -1.5A C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -35V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Low Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for medium power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

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