2SA70 Todos los transistores

 

2SA70 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA70
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 150
   Paquete / Cubierta: TO7
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SA70 Datasheet (PDF)

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Transistors2SA708

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2SA70

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA700DESCRIPTIONHigh Collector Current -I = -1.5ACCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -35V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFELow Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for medium power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

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History: EMD3 | RT1N151U | BC737-25 | SBC847CWT1G | TN3904 | 2SC2656 | BTD1858T3

 

 
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