2SA70 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA70  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: TO7

 Аналоги (замена) для 2SA70

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA70 даташит

 0.1. Size:29K  no
 2sa701.pdf pdf_icon

2SA70

 0.2. Size:93K  usha
 2sa709.pdf pdf_icon

2SA70

Transistors 2SA709

 0.3. Size:86K  usha
 2sa708.pdf pdf_icon

2SA70

Transistors 2SA708

 0.4. Size:194K  inchange semiconductor
 2sa700.pdf pdf_icon

2SA70

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA700 DESCRIPTION High Collector Current -I = -1.5A C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -35V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Low Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for medium power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SA685, 2SA69, 2SA695, 2SA696, 2SA697, 2SA698, 2SA699, 2SA699A, 13007, 2SA700, 2SA701, 2SA701NP, 2SA702, 2SA702NP, 2SA703, 2SA704, 2SA706