2SA965Y Todos los transistores

 

2SA965Y . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA965Y
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 40 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: TO92
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SA965Y Datasheet (PDF)

 8.1. Size:173K  toshiba
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2SA965Y

 8.2. Size:78K  secos
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2SA965Y

2SA965TM -0.8A , -120V PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92MOD FEATURES Complementary to 2SC2235 A D Power Amplifier Applications BCLASSIFICATION OF hFE Product-Rank 2SA965-O 2SA965-Y KE FRange 80-160 120-240 CNG H1 Emitter 1112 Collector 2

 8.3. Size:213K  inchange semiconductor
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2SA965Y

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SA965DESCRIPTIONPower amplifier applicationsDriver stage amplifier applicationsMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for Switching and amplificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -120 VCB

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History: KMBTA05 | 2SC706 | DTA602 | 2SC1400U | ECG311

 

 
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