2SA965Y datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA965Y  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SA965Y

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA965Y даташит

 8.1. Size:173K  toshiba
 2sa965.pdf pdf_icon

2SA965Y

 8.2. Size:78K  secos
 2sa965tm.pdf pdf_icon

2SA965Y

2SA965TM -0.8A , -120V PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92MOD FEATURES Complementary to 2SC2235 A D Power Amplifier Applications B CLASSIFICATION OF hFE Product-Rank 2SA965-O 2SA965-Y K E F Range 80-160 120-240 C N G H 1 Emitter 1 1 1 2 Collector 2

 8.3. Size:213K  inchange semiconductor
 2sa965.pdf pdf_icon

2SA965Y

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SA965 DESCRIPTION Power amplifier applications Driver stage amplifier applications Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for Switching and amplification ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage -120 V CB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SA96, 2SA962, 2SA962A, 2SA963, 2SA964, 2SA964A, 2SA965, 2SA965O, 2SD1047, 2SA966, 2SA966O, 2SA966Y, 2SA967, 2SA968, 2SA968A, 2SA968B, 2SA969