2SB1019Y Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SB1019Y
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 70 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 5 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 250 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 120
Encapsulados: TO220
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2SB1019Y datasheet
2sb1019.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1019 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = -0.4V(Max)@I = -4A CE(sat) C Good Linearity of h FE Complement to Type 2SD1412 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High current switching applications. Power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a
Otros transistores... 2SB1017O , 2SB1017R , 2SB1017Y , 2SB1018 , 2SB1018O , 2SB1018Y , 2SB1019 , 2SB1019O , TIP42C , 2SB102 , 2SB1020 , 2SB1021 , 2SB1022 , 2SB1023 , 2SB1024 , 2SB1025 , 2SB1026 .
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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