2SB1019Y Todos los transistores

 

2SB1019Y . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB1019Y
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 70 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 250 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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2SB1019Y Datasheet (PDF)

 7.1. Size:45K  no
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2SB1019Y

 7.2. Size:156K  jmnic
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2SB1019Y

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1019 DESCRIPTION With TO-220Fa package Low saturation voltage Complement to type 2SD1412 APPLICATIONS High current switching applications Power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol 3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25

 7.3. Size:216K  inchange semiconductor
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2SB1019Y

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1019DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.4V(Max)@I = -4ACE(sat) CGood Linearity of hFEComplement to Type 2SD1412Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh current switching applications.Power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

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History: 2SB958 | 2SD1898-R | MMBT3904R | 2SA1538D | 2SA1955FV

 

 
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