Биполярный транзистор 2SB1019Y - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SB1019Y
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: TO220
2SB1019Y Datasheet (PDF)
2sb1019.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1019 DESCRIPTION With TO-220Fa package Low saturation voltage Complement to type 2SD1412 APPLICATIONS High current switching applications Power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol 3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25
2sb1019.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1019DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.4V(Max)@I = -4ACE(sat) CGood Linearity of hFEComplement to Type 2SD1412Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh current switching applications.Power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050