2SB1136Q Todos los transistores

 

2SB1136Q . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB1136Q
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SB1136Q Datasheet (PDF)

 7.1. Size:102K  sanyo
 2sb1136.pdf pdf_icon

2SB1136Q

 7.2. Size:221K  jmnic
 2sb1136.pdf pdf_icon

2SB1136Q

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1136 DESCRIPTION With TO-220F package Complement to type 2SD1669 Low collector saturation voltage Wide ASO APPLICATIONS Relay drivers High speed inverters,converters General high current switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-220F) and

 7.3. Size:199K  inchange semiconductor
 2sb1136.pdf pdf_icon

2SB1136Q

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB1136DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -50V(Min)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.4V(Max.)@ I = -6ACE(sat) CComplement to Type 2SD1669Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for relay drivers,high-speed inver

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History: 2SC3110 | 2N6364

 

 
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