2SB1136Q - описание и поиск аналогов

 

2SB1136Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB1136Q

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для 2SB1136Q

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1136Q даташит

 7.1. Size:102K  sanyo
 2sb1136.pdf pdf_icon

2SB1136Q

 7.2. Size:221K  jmnic
 2sb1136.pdf pdf_icon

2SB1136Q

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1136 DESCRIPTION With TO-220F package Complement to type 2SD1669 Low collector saturation voltage Wide ASO APPLICATIONS Relay drivers High speed inverters,converters General high current switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-220F) and

 7.3. Size:199K  inchange semiconductor
 2sb1136.pdf pdf_icon

2SB1136Q

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1136 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -50V(Min) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = -0.4V(Max.)@ I = -6A CE(sat) C Complement to Type 2SD1669 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for relay drivers,high-speed inver

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB1134Q, 2SB1134R, 2SB1134S, 2SB1135, 2SB1135Q, 2SB1135R, 2SB1135S, 2SB1136, S8050, 2SB1136R, 2SB1136S, 2SB1137, 2SB114, 2SB1140, 2SB1140R, 2SB1140S, 2SB1140T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.