2SB1165T Todos los transistores

 

2SB1165T . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB1165T
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 130 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 60 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: TO126
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SB1165T Datasheet (PDF)

 7.1. Size:124K  sanyo
 2sb1165.pdf pdf_icon

2SB1165T

 7.2. Size:157K  jmnic
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2SB1165T

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1165 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SD1722 Low collector saturation voltage Fast switching time APPLICATIONS For use in relay drivers,high-speed inverters,converters. PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute maximum ratings

 7.3. Size:218K  inchange semiconductor
 2sb1165.pdf pdf_icon

2SB1165T

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1165DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.55V(Max)@I = -3ACE(sat) CHigh fTGood Linearity of hFEFast switching timeComplement to Type 2SD1722Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for relay drivers,high-speed inverters andconverters applica

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History: ZDT1049 | 2N6364 | 2SC3110

 

 
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