2SB1165T - описание и поиск аналогов

 

2SB1165T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB1165T

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для 2SB1165T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1165T даташит

 7.1. Size:124K  sanyo
 2sb1165.pdf pdf_icon

2SB1165T

 7.2. Size:157K  jmnic
 2sb1165.pdf pdf_icon

2SB1165T

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1165 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SD1722 Low collector saturation voltage Fast switching time APPLICATIONS For use in relay drivers,high-speed inverters,converters. PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Base Absolute maximum ratings

 7.3. Size:218K  inchange semiconductor
 2sb1165.pdf pdf_icon

2SB1165T

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1165 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = -0.55V(Max)@I = -3A CE(sat) C High f T Good Linearity of h FE Fast switching time Complement to Type 2SD1722 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for relay drivers,high-speed inverters and converters applica

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB1161, 2SB1162, 2SB1163, 2SB1164, 2SB1165, 2SB1165Q, 2SB1165R, 2SB1165S, 2N4401, 2SB1166, 2SB1166Q, 2SB1166R, 2SB1166S, 2SB1166T, 2SB1167, 2SB1167Q, 2SB1167R

 

 

 

 

↑ Back to Top
.