Справочник транзисторов. 2SB1165T

 

Биполярный транзистор 2SB1165T Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB1165T
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для 2SB1165T

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1165T Datasheet (PDF)

 7.1. Size:124K  sanyo
 2sb1165.pdf pdf_icon

2SB1165T

 7.2. Size:157K  jmnic
 2sb1165.pdf pdf_icon

2SB1165T

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1165 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SD1722 Low collector saturation voltage Fast switching time APPLICATIONS For use in relay drivers,high-speed inverters,converters. PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute maximum ratings

 7.3. Size:218K  inchange semiconductor
 2sb1165.pdf pdf_icon

2SB1165T

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1165DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.55V(Max)@I = -3ACE(sat) CHigh fTGood Linearity of hFEFast switching timeComplement to Type 2SD1722Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for relay drivers,high-speed inverters andconverters applica

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SB1161 , 2SB1162 , 2SB1163 , 2SB1164 , 2SB1165 , 2SB1165Q , 2SB1165R , 2SB1165S , D880 , 2SB1166 , 2SB1166Q , 2SB1166R , 2SB1166S , 2SB1166T , 2SB1167 , 2SB1167Q , 2SB1167R .

History: 2SB1088 | BCW22L | 2SD1200 | BFY99 | 2SD1204 | LDTC114YET1G | 2SB1155

 

 
Back to Top

 


 
.