183T2 Todos los transistores

 

183T2 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 183T2
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 87 W
   Tensión colector-base (Vcb): 300 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 180 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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183T2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:258K  comset
 bdy26-bdy27-bdy28-183t2-184t2-185t2.pdf pdf_icon

183T2

COMSETSEMICONDUCTORSBDY26, 183 T2BDY27, 184 T2BDY28, 185 T2NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSEDMESALF Large Signal Power AmplificationHigh Current Fast SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Ratings Value UnitBDY26, 183T2 180VCEO Collector-Emitter Voltage BDY27, 184T2 200 VBDY28, 185T2 250BDY26, 183T2 300VCBO Collector-Base Voltage BDY27, 184T2 400 VBDY28, 185T2 50

 0.2. Size:38K  no
 183t2c.pdf pdf_icon

183T2

Technical DataTRANSISTORmaximum ratingsVoltage, Collector to Base (VCBO) 300.0 V NO. 183T2CVoltage, Collector to Emitter (VCE) 180.0 V TYPE NPNVoltage, Emitter to Base (VEBO) 10.0 V empty emptyCollector Current (IC) 6.0 A empty emptyBase Current (IB) 3.0 A CASE TO-3Max. Power Dissipation (PT) at TC = 25 C 87.5 W empty emptyMax. Thermal Resistance (Rth J-C) 2.0 C/W empty em

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History: 2N1358M

 

 
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