183T2 Todos los transistores

 

183T2 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 183T2
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 87 W
   Tensión colector-base (Vcb): 300 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 180 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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183T2 PDF detailed specifications

 0.1. Size:258K  comset
 bdy26-bdy27-bdy28-183t2-184t2-185t2.pdf pdf_icon

183T2

COMSET SEMICONDUCTORS BDY26, 183 T2 BDY27, 184 T2 BDY28, 185 T2 NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA LF Large Signal Power Amplification High Current Fast Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit BDY26, 183T2 180 VCEO Collector-Emitter Voltage BDY27, 184T2 200 V BDY28, 185T2 250 BDY26, 183T2 300 VCBO Collector-Base Voltage BDY27, 184T2 400 V BDY28, 185T2 50... See More ⇒

 0.2. Size:38K  no
 183t2c.pdf pdf_icon

183T2

Technical Data TRANSISTOR maximum ratings Voltage, Collector to Base (VCBO) 300.0 V NO. 183T2C Voltage, Collector to Emitter (VCE) 180.0 V TYPE NPN Voltage, Emitter to Base (VEBO) 10.0 V empty empty Collector Current (IC) 6.0 A empty empty Base Current (IB) 3.0 A CASE TO-3 Max. Power Dissipation (PT) at TC = 25 C 87.5 W empty empty Max. Thermal Resistance (Rth J-C) 2.0 C/W empty em... See More ⇒

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History: 2G339 | 2SC5052

 

 
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