183T2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 183T2  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 87 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 183T2

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

183T2 даташит

 0.1. Size:258K  comset
 bdy26-bdy27-bdy28-183t2-184t2-185t2.pdf pdf_icon

183T2

COMSET SEMICONDUCTORS BDY26, 183 T2 BDY27, 184 T2 BDY28, 185 T2 NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA LF Large Signal Power Amplification High Current Fast Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit BDY26, 183T2 180 VCEO Collector-Emitter Voltage BDY27, 184T2 200 V BDY28, 185T2 250 BDY26, 183T2 300 VCBO Collector-Base Voltage BDY27, 184T2 400 V BDY28, 185T2 50

 0.2. Size:38K  no
 183t2c.pdf pdf_icon

183T2

Technical Data TRANSISTOR maximum ratings Voltage, Collector to Base (VCBO) 300.0 V NO. 183T2C Voltage, Collector to Emitter (VCE) 180.0 V TYPE NPN Voltage, Emitter to Base (VEBO) 10.0 V empty empty Collector Current (IC) 6.0 A empty empty Base Current (IB) 3.0 A CASE TO-3 Max. Power Dissipation (PT) at TC = 25 C 87.5 W empty empty Max. Thermal Resistance (Rth J-C) 2.0 C/W empty em

Другие транзисторы: 1802, 180T2, 180T2A, 181T2, 181T2A, 182T2, 182T2A, 182T2C, BD136, 184T2, 185T2, 193DT2, 25DB070D, 26DB080D, 27925, 28025, 2A847